transistor

IRF640NPBF

1.200CFA

Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 4 V

UGS : CIT-225 Catégories : ,
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Description du produit

  • Tension drain à source (Vds) de 200V
  • Tension grille à source de ±20V
  • Résistance On Rds(on) de 150mohm
  • Dissipation de puissance (Pd) 150W à 25°C
  • Courant de drain continu Id de 18A à Vgs 10V et 25°C
  • Plage de température de jonction de -55°C à 175°C

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